收藏本站
IXFH 22N55
Fig. 1 Output Characteristics
40
Fig. 2 Input Admittance
40
30
20
10
0
T J = 25 ° C
V GS = 10V
9V
6V
5V
30
20
10
0
T J = 25 ° C
V DS = 20V
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.5
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.4
T J = 25 ° C
2.25
1.3
1.2
2.00
1.75
1.50
V GS = 10V
I D = 11A
1.1
1.0
0.9
V GS = 10V
V GS = 15V
1.25
1.00
0.75
0.50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
25
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
20
1.1
V GS(th)
BV DSS
1.0
15
10
5
0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH22N60P MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
IXFH230N075T2 MOSFET N-CH 75V 230A TO-247
IXFH230N10T MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
IXFH24N50Q MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
IXFH24N90P MOSFET N-CH TO-247
IXFH26N55Q MOSFET N-CH 550V 26A TO-247
IXFH28N50Q MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
IXFH30N40Q MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH22N60P 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH22N60P3 功能描述:MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH230N075T2 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH230N10T 功能描述:MOSFET 230Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH23N60Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH23N80Q 功能描述:MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH24N40 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH24N50 功能描述:MOSFET 500V 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube